Diodos de comutação altos de Schottky da frequência, diodos de roda sem perdas da baixa potência
Detalhes do produto:
Lugar de origem: | Dongguan China |
Marca: | Uchi |
Certificação: | CE / RoHS / ISO9001 / UL |
Número do modelo: | MBR20200F |
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: | negociação |
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Preço: | Negotiation |
Detalhes da embalagem: | Pacote/negociação da exportação |
Tempo de entrega: | negociação |
Termos de pagamento: | T/T |
Habilidade da fonte: | 2000000 pelo mês |
Informação detalhada |
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Tipo: | Diodo de Schottky | Características: | Perda de baixa potência, eficiência elevada |
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Tipo do pacote: | Através do furo | Máximo Dianteiro Atual: | 30A, 30A |
Tensão dianteira do máximo: | 0.9V, 0.9V | Aplicações: | Diodos de roda livres |
Realçar: | Diodos de comutação altos de Schottky da frequência,Diodos de roda livres do CE,diodos 30A de roda livres |
Descrição de produto
Diodos Schottky de baixa perda de energia Alta frequência de comutação para diodos de roda livre
MBR20200F.pdf
Diodo Schottky O diodo Schottky, também conhecido como diodo de barreira Schottky (SBD para abreviar), é um dispositivo semicondutor de baixa potência e velocidade ultra-alta.A característica mais notável é que o tempo de recuperação reversa é extremamente curto (pode ser tão pequeno quanto alguns nanossegundos) e a queda de tensão direta é de apenas cerca de 0,4 V.É usado principalmente como diodos retificadores de alta frequência, baixa tensão e alta corrente, diodos de roda livre e diodos de proteção.Também é útil como diodos retificadores e diodos detectores de pequenos sinais em circuitos de comunicação de micro-ondas.É mais comum em fontes de alimentação de comunicação, conversores de frequência, etc.
Uma aplicação típica é no circuito de comutação do transistor bipolar BJT, conectando o diodo Shockley ao BJT para pinçar, de modo que o transistor esteja realmente próximo do estado desligado quando estiver no estado ligado, aumentando assim a velocidade de comutação do o transistor.Este método é a técnica usada nos circuitos internos TTL de ICs digitais típicos, como 74LS, 74ALS, 74AS, etc.
A maior característica dos diodos Schottky é que a queda de tensão direta VF é relativamente pequena.No caso da mesma corrente, sua queda de tensão direta é bem menor.Além disso, tem um curto tempo de recuperação.Ele também tem algumas desvantagens: a tensão suportável é relativamente baixa e a corrente de fuga é um pouco maior.Deve ser considerado de forma abrangente ao escolher.
Características
1. Estrutura de cátodo comum
2. Baixa perda de energia, alta eficiência
3. Alta temperatura da junção operacional
4. Anel de proteção para proteção contra sobretensão, alta confiabilidade
5. Produto RoHS
Formulários
1. Interruptor de alta frequência Fonte de alimentação
2. Diodos de roda livre, aplicações de proteção de polaridade
CARACTERÍSTICAS PRINCIPAIS
SE(AV) |
10(2×5)A |
VF(max) |
0,7V (@Tj=125°C) |
Tj |
175°C |
VRRM |
100 V |
MENSAGEM DO PRODUTO
Modelo |
marcação |
Pacote |
MBR10100 |
MBR10100 |
TO-220C |
MBRF10100 |
MBRF10100 |
TO-220F |
MBR10100S |
MBR10100S |
TO-263 |
MBR10100R |
MBR10100R |
TO-252 |
MBR10100V |
MBR10100V |
TO-251 |
MBR10100C |
MBR10100C |
TO-220 |
CLASSIFICAÇÕES ABSOLUTAS (Tc=25°C)
Parâmetro |
Símbolo |
Valor |
Unidade |
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Tensão reversa de pico repetitivo |
VRRM |
100 |
V |
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Tensão máxima de bloqueio DC |
VDC |
100 |
V |
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Corrente direta média |
TC=150°C (TO-220/263/252 )TC=125°C(TO-220F) |
por dispositivo
por diodo |
SE(AV) |
10 5 |
A |
Surto de corrente direta não repetitiva 8,3 ms de meia onda senoidal única (Metodo JEDEC) |
IFSM |
120 |
A |
||
Temperatura máxima de junção |
Tj |
175 |
°C |
||
Amplitude Térmica de armazenamento |
TSTG |
-40~+150 |
°C |